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IRF640 Transistor Mosfet N Channel 200v Ups

$2.300 IVA Incluido

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CARACTERISTICAS:
Voltaje de fuente de drenaje VDS (VGS = 0) 200 V
Voltaje de desagüe VDGR (RGS = 20 kO) 200 V
Voltaje de la compuerta VGS ± 20 V
ID Drain Current (continuo) en Tc = 25 oC 18 18 (**) A
ID Drain Current (continuo) a Tc = 100 oC 11 11 (**) A
IDM (•) Corriente de drenaje (impulsada) 72 72 A
Ptot Disipación total en Tc = 25 o C 125 40 W
Factor de reducción 1.0 0.32 W / o C
dv / dt (1) Pendiente de tensión de recuperación de pico de diodo 5 5 V / ns
Tensión de soporte VISO Aislamiento (DC) 2000 V
Temperatura de almacenamiento Tstg -65 a 150 o C
Tj Max. Temperatura de unión operativa 150 oC

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